新聞資訊
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什么是寬禁帶半導體

2024-06-27
寬禁帶半導體是指禁帶寬度在2.3電子伏特(eV)及以上的半導體材料,典型的例子包括碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)和金剛石等。這些材料具有高溫、高功率、高頻率等優勢,使其在多個領域有著廣泛的應用前景。主要應用領域電力電子器件:寬禁帶半導體在電力電子領域有重要應用,包括電源管理、電力控制系統、電力調節器和電力變換器等。它們可以支持更高的電壓和更高的頻率,提高電路的性能、效率和可靠性。光電子器...

超寬禁帶半導體:金剛石要攬“瓷器活”?!

2024-06-27
以SiC/GaN為代表的寬禁帶半導體已逐漸在5G通信、汽車電子、快速充電等方面得到大量應用。與此同時,研究人員和相關企業仍在研究開發其他的寬帶隙材料。金剛石、氮化鋁和氧化鎵等具有更寬的禁帶寬度,被稱為超寬禁帶半導體,未來有可能用來制造具有更低電阻、更高工作功率、更高耐溫的功率器件,因此研發熱度一直不減。近來,持續有關于金剛石研發進展的消息傳出,涉及大尺寸金剛石晶圓制備、金剛石材料的N 型摻雜...

砂輪參數對SiC減薄工藝的影響

2024-06-27
SiC器件正面工藝完成后,需要用到減薄工藝 對襯底進行減薄加工,降低器件的導通電阻。尤 其對于600-1200V的中低壓SiC器件,襯底電阻帶 來的損耗影響了SiC器件的高效使用。同時,襯底 減薄還能降低封裝體積、提升散射效率。常用的 減薄方式包括金剛石砂輪減薄、鑄鐵盤或樹脂鐵 盤研磨、CMP拋光。在這些工藝中,砂輪減薄具有 最高的去除效率和相對穩定的精度控制。然而, 由于SiC晶圓和砂輪成...

硅片襯底上為什么要做外延?

2024-06-27
在半導體產業鏈中,特別是第三代半導體(寬禁帶半導體)產業鏈中,會有襯底及外延層之分,那外延層的存在有何意義?和襯底的區別是什么呢?襯底(substrate)是由半導體單晶材料制造而成的晶圓片,襯底可以直接進入晶圓制造環節生產半導體器件,也可以進行外延工藝加工生產外延片。襯底是晶圓(把晶圓切開,就可以得到一個個的die,再封裝好就成為傳說中的芯片)最底下(其實芯片的最底部一般還會鍍上一層背金,...

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