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深度解讀第三代半導體—碳化硅
2024-07-22
碳化硅介紹碳化硅(SiC)是由碳元素和硅元素組成的一種化合物半導體材料,是制作高溫、高頻、大功率、高壓器件的理想材料之一。相比傳統的硅材料(Si),碳化硅的禁帶寬度是硅的3倍;導熱率為硅的4-5倍;擊穿電壓為硅的8-10倍;電子飽和漂移速率為硅的2-3倍,滿足了現代工業對高功率、高電壓、高頻率的需求,主要被用于制作高速、高頻、大功率及發光電子元器件,下游應用領域包括智能電網、新能源汽車、光伏...
解密第三代半導體:一場悄然進行的科技革
2024-07-22
半導體的進化之路:從硅到"超級材料"要理解第三代半導體,我們先來回顧一下半導體的"家族史":1. 第一代半導體:以硅和鍺為代表,它們就像電子世界的"元老",推動了早期電子設備的革命。想象一下,沒有它們,我們可能還在用老式電話機呢!2. 第二代半導體:以砷化鎵和磷化銦為代表,它們就像是"升級版"的硅,在微波和光電子領域大顯身手。比如,它們讓我們的手機信號更好,網速更快。3. 第三代半導體:主角...
什么是寬禁帶半導體
2024-06-27
寬禁帶半導體是指禁帶寬度在2.3電子伏特(eV)及以上的半導體材料,典型的例子包括碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)和金剛石等。這些材料具有高溫、高功率、高頻率等優勢,使其在多個領域有著廣泛的應用前景。主要應用領域電力電子器件:寬禁帶半導體在電力電子領域有重要應用,包括電源管理、電力控制系統、電力調節器和電力變換器等。它們可以支持更高的電壓和更高的頻率,提高電路的性能、效率和可靠性。光電子器...
新聞
超寬禁帶半導體:金剛石要攬“瓷器活”?!
2024-06-27
以SiC/GaN為代表的寬禁帶半導體已逐漸在5G通信、汽車電子、快速充電等方面得到大量應用。與此同時,研究人員和相關企業仍在研究開發其他的寬帶隙材料。金剛石、氮化鋁和氧化鎵等具有更寬的禁帶寬度,被稱為超寬禁帶半導體,未來有可能用來制造具有更低電阻、更高工作功率、更高耐溫的功率器件,因此研發熱度一直不減。近來,持續有關于金剛石研發進展的消息傳出,涉及大尺寸金剛石晶圓制備、金剛石材料的N 型摻雜...
新聞
氧化鎵打開芯片大戰新篇章!
2024-06-27
氧化鎵是一種很有前途的材料,可用于制造用于電動汽車和其他應用的更高效的功率器件。引人注目的是,該領域領先的美國公司的一個主要投資者是美國國防部。正如參與其商業化的日本公司Taiyo Nippon Sanso所解釋的,“其作為功率器件的理論性能遠高于硅,也超過了碳化硅和氮化鎵,是一種優秀的材料?!泵绹?、日本、歐洲、韓國、臺灣和中國正在開發氧化鎵晶圓和器件。當美國政府對氧化鎵的國家安全影響發出警...
資訊
砂輪參數對SiC減薄工藝的影響
2024-06-27
SiC器件正面工藝完成后,需要用到減薄工藝 對襯底進行減薄加工,降低器件的導通電阻。尤 其對于600-1200V的中低壓SiC器件,襯底電阻帶 來的損耗影響了SiC器件的高效使用。同時,襯底 減薄還能降低封裝體積、提升散射效率。常用的 減薄方式包括金剛石砂輪減薄、鑄鐵盤或樹脂鐵 盤研磨、CMP拋光。在這些工藝中,砂輪減薄具有 最高的去除效率和相對穩定的精度控制。然而, 由于SiC晶圓和砂輪成...
新聞
硅片襯底上為什么要做外延?
2024-06-27
在半導體產業鏈中,特別是第三代半導體(寬禁帶半導體)產業鏈中,會有襯底及外延層之分,那外延層的存在有何意義?和襯底的區別是什么呢?襯底(substrate)是由半導體單晶材料制造而成的晶圓片,襯底可以直接進入晶圓制造環節生產半導體器件,也可以進行外延工藝加工生產外延片。襯底是晶圓(把晶圓切開,就可以得到一個個的die,再封裝好就成為傳說中的芯片)最底下(其實芯片的最底部一般還會鍍上一層背金,...
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