寬禁帶半導(dǎo)體是指禁帶寬度在2.3電子伏特（eV）及以上的半導(dǎo)體材料，典型的例子包括碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）和金剛石等。這些材料具有高溫、高功率、高頻率等優(yōu)勢(shì)，使其在多個(gè)領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用前景。主要應(yīng)用領(lǐng)域電力電子器件：寬禁帶半導(dǎo)體在電力電子領(lǐng)域有重要應(yīng)用，包括電源管理、電力控制系統(tǒng)、電力調(diào)節(jié)器和電力變換器等。它們可以支持更高的電壓和更高的頻率，提高電路的性能、效率和可靠性。光電子器...

以SiC/GaN為代表的寬禁帶半導(dǎo)體已逐漸在5G通信、汽車(chē)電子、快速充電等方面得到大量應(yīng)用。與此同時(shí)，研究人員和相關(guān)企業(yè)仍在研究開(kāi)發(fā)其他的寬帶隙材料。金剛石、氮化鋁和氧化鎵等具有更寬的禁帶寬度，被稱為超寬禁帶半導(dǎo)體，未來(lái)有可能用來(lái)制造具有更低電阻、更高工作功率、更高耐溫的功率器件，因此研發(fā)熱度一直不減。近來(lái)，持續(xù)有關(guān)于金剛石研發(fā)進(jìn)展的消息傳出，涉及大尺寸金剛石晶圓制備、金剛石材料的N 型摻雜...

氧化鎵是一種很有前途的材料，可用于制造用于電動(dòng)汽車(chē)和其他應(yīng)用的更高效的功率器件。引人注目的是，該領(lǐng)域領(lǐng)先的美國(guó)公司的一個(gè)主要投資者是美國(guó)國(guó)防部。正如參與其商業(yè)化的日本公司Taiyo Nippon Sanso所解釋的，“其作為功率器件的理論性能遠(yuǎn)高于硅，也超過(guò)了碳化硅和氮化鎵，是一種優(yōu)秀的材料。”美國(guó)、日本、歐洲、韓國(guó)、臺(tái)灣和中國(guó)正在開(kāi)發(fā)氧化鎵晶圓和器件。當(dāng)美國(guó)政府對(duì)氧化鎵的國(guó)家安全影響發(fā)出警...

SiC器件正面工藝完成后，需要用到減薄工藝 對(duì)襯底進(jìn)行減薄加工，降低器件的導(dǎo)通電阻。尤 其對(duì)于600-1200V的中低壓SiC器件，襯底電阻帶 來(lái)的損耗影響了SiC器件的高效使用。同時(shí)，襯底 減薄還能降低封裝體積、提升散射效率。常用的 減薄方式包括金剛石砂輪減薄、鑄鐵盤(pán)或樹(shù)脂鐵 盤(pán)研磨、CMP拋光。在這些工藝中，砂輪減薄具有 最高的去除效率和相對(duì)穩(wěn)定的精度控制。然而， 由于SiC晶圓和砂輪成...

在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈中，特別是第三代半導(dǎo)體（寬禁帶半導(dǎo)體）產(chǎn)業(yè)鏈中，會(huì)有襯底及外延層之分，那外延層的存在有何意義？和襯底的區(qū)別是什么呢？襯底（substrate）是由半導(dǎo)體單晶材料制造而成的晶圓片，襯底可以直接進(jìn)入晶圓制造環(huán)節(jié)生產(chǎn)半導(dǎo)體器件，也可以進(jìn)行外延工藝加工生產(chǎn)外延片。襯底是晶圓（把晶圓切開(kāi)，就可以得到一個(gè)個(gè)的die，再封裝好就成為傳說(shuō)中的芯片）最底下（其實(shí)芯片的最底部一般還會(huì)鍍上一層背金，...