碳化硅介紹碳化硅（SiC）是由碳元素和硅元素組成的一種化合物半導體材料，是制作高溫、高頻、大功率、高壓器件的理想材料之一。相比傳統的硅材料（Si），碳化硅的禁帶寬度是硅的3倍；導熱率為硅的4-5倍；擊穿電壓為硅的8-10倍；電子飽和漂移速率為硅的2-3倍，滿足了現代工業對高功率、高電壓、高頻率的需求，主要被用于制作高速、高頻、大功率及發光電子元器件，下游應用領域包括智能電網、新能源汽車、光伏...

半導體的進化之路：從硅到"超級材料"要理解第三代半導體，我們先來回顧一下半導體的"家族史"：1. 第一代半導體：以硅和鍺為代表，它們就像電子世界的"元老"，推動了早期電子設備的革命。想象一下，沒有它們，我們可能還在用老式電話機呢！2. 第二代半導體：以砷化鎵和磷化銦為代表，它們就像是"升級版"的硅，在微波和光電子領域大顯身手。比如，它們讓我們的手機信號更好，網速更快。3. 第三代半導體：主角...